Theo thông tin từ trang GsmArena, hãng sản xuất chip Hàn Quốc SK Hynix hiện đã bắt đầu thử nghiệm và phát triển dòng RAM chuẩn DDR4 với dung lượng lên đến 128 GB.

Dòng RAM chuẩn DDR4 dung lượng 128 GB được xây dựng dựa trên công nghệ Through Silicon Via (TSV), giúp cải thiện khá nhiều về tốc độ và khả năng truy xuất thông tin. Và với việc sử dụng TSV, dòng sản phẩm mới sở hữu bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (DRAM) và có thể kết nối với nguồn cấp điện hiệu quả hơn.



SK Hynix cho biết, dòng RAM chuẩn DDR4 dung lượng 128 GB có tốc độ băng thông lên tới 2.133 Mbps, vượt trội hơn hẳn so với mức 1.333 Mbps của chuẩn DDR3.

Ngoài ra, sản phẩm còn tiêu thụ điện năng ít hơn khi hoạt động nhờ nguồn điện có hiệu điện thế chỉ 1.2 V, trong khi, chuẩn DDR3 lại phù hợp với hiệu điện thế 1.35 V.

SK Hynix dự kiến sản xuất hàng loạt RAM chuẩn DDR4 dung lượng 128 GB vào nửa đầu năm 2015.

Theo GsmArena

Bình Luận

Tất cả các nhận xét của các bạn sẽ được kiểm duyệt trước khi đăng tải, do vậy nhận xét của bạn gửi sẽ tạm thời chưa hiện nhé.

 
Lên